Kona提供了一系列用于硅片研磨,粗抛光和最终抛光的研磨和抛光粉和浆料,用于硅片的化学机械平坦化工艺。
我们提供用于硅片最终抛光工艺的胶体二氧化硅,可用于单面和双面抛光。
我们开发了用于硅片化学机械抛光 (CMP) 的纳米碱性胶体二氧化硅,它具有良好的分散性和稳定性,提高了材料去除率 (MRR),并改善了表面粗糙度 (Ra/Rz)。
我们有能力开发合适的抛光液,以满足客户在半导体制造中的需求。
在硅片机械加工过程中,包括多线切割、研磨等加工过程,会在表面留下损伤层。此时,需要进行化学机械抛光,以使硅片具有良好的平整度和光洁度,并确保晶格完整性。因此,要求硅片抛光液能够在不破坏晶格的同时去除硅片的受损层,因此,Kona选择了不同颗粒的二氧化硅作为基本磨料,并开发了粗糙和最终的硅晶片抛光液。
Pro名称 | 硅粗抛光液 |
基础磨料 | 二氧化硅胶体 |
外观 | 白色液体 |
Ph值 | 10-13 |
溶剂类型 | 水基 |
保质期 | 12个月 |
Pro名称 | 硅最终抛光液 |
基础磨料 | 二氧化硅胶体 |
外观 | 白色液体 |
Ph值 | 8-9 |
溶剂类型 | 水基 |
保质期 | 12个月 |