科纳硅片浆料已开发用于硅片粗糙和最终抛光工艺。在硅衬底的CMP过程中，Kona浆料获得超光滑的表面，并帮助您降低成本。
Kona提供了一系列用于硅片研磨，粗抛光和最终抛光的研磨和抛光粉和浆料，用于硅片的化学机械平坦化工艺。
我们提供用于硅片最终抛光工艺的胶体二氧化硅，可用于单面和双面抛光。
我们开发了用于硅片化学机械抛光 (CMP) 的纳米碱性胶体二氧化硅，它具有良好的分散性和稳定性，提高了材料去除率 (MRR)，并改善了表面粗糙度 (Ra/Rz)。
我们有能力开发合适的抛光液，以满足客户在半导体制造中的需求。
在硅片机械加工过程中，包括多线切割、研磨等加工过程，会在表面留下损伤层。此时，需要进行化学机械抛光，以使硅片具有良好的平整度和光洁度，并确保晶格完整性。因此，要求硅片抛光液能够在不破坏晶格的同时去除硅片的受损层，因此，Kona选择了不同颗粒的二氧化硅作为基本磨料，并开发了粗糙和最终的硅晶片抛光液。
| Pro名称 | 硅粗抛光液 |
| 基础磨料 | 二氧化硅胶体 |
| 外观 | 白色液体 |
| Ph值 | 10-13 |
| 溶剂类型 | 水基 |
| 保质期 | 12个月 |
| Pro名称 | 硅最终抛光液 |
| 基础磨料 | 二氧化硅胶体 |
| 外观 | 白色液体 |
| Ph值 | 8-9 |
| 溶剂类型 | 水基 |
| 保质期 | 12个月 |
EN
cn 
ja 
ko 
de 
es 
it 
vi 
th 
ms 
id 
